Prof. Dr. Dominique Bougeard

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-2 und Äquivalente
FachgebietHalbleiterphysik
KeywordsMolecular beam epitaxy, Semiconductor nanostructures, Quantum effects in low-dimensional semiconductors, Silicon-Germanium, Spin physics

Aktuelle Kontaktadresse

LandDeutschland
OrtRegensburg
Universität/InstitutionUniversität Regensburg
Institut/AbteilungInstitut für Experimentelle und Angewandte Physik
Websitewww.physik.uni-regensburg.de/forschung/bougeard/index.phtml

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Arthur Charles GossardDepartment of Physics, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara
Prof. Dr. David D. AwschalomDepartment of Physics, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara
Beginn der ersten Förderung01.09.2007

Programm(e)

2007Feodor Lynen-Forschungsstipendien-Programm

Publikationen (Auswahl)

2009Stefan Ahlers, Peter R. Stone, Narayan Sircar, Ekle Arenholz, Oscar D. Dubon, Dominique Bougeard: Comparison of the magnetic properties of GeMn thin films through Mn L-edge x-ray absorption. In: Applied Physics Letters, 2009, 151911
2009Dominique Bougeard, Narayan Sircar, Stefan Ahlers, Volker Lang, Gerhard Abstreiter, Achim Trampert, James M. LeBeau, Susanne Stemmer, David S. Saxey, Alfred Cerezo: Ge1-x Mnx Clusters: Central Structural and Magnetic Building Blocks of Nanoscale Wire-Like Self-Assembly in a Magnetic Semiconductor. In: Nano Letters, 2009, 3743